10月11-13日,由第三代半导体产业创新战略联盟举办的“第三届第三代半导体材料及装备发展研讨会&第三代半导体材料与装备展”在青岛隆重召开。作为第三代半导体产业技术创新战略联盟的会员单位,博电科技应邀参会,全方位展示了博电科技在功率半导体测试领域取得的技术成果。国家新材料产业发展专家咨询委员会委员、第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲,北京大学理学部副主任、联盟副理事长沈波,中国电子科技集团公司第二研究所所长、联盟装备委员会共同主任唐景庭等来自产业链上下游的180多位专家学者及技术人员参会。
研讨会由北京第三代半导体产业技术创新战略联盟于坤山秘书长主持。
▲于坤山秘书长致辞
本次研讨会的专题讨论环节,共分为衬底、外延、芯片、封装、检测技术路线与装备选择五个环节。检测环节技术路线分析与装备选择专题的召集人之一——博电科技副总工程师杜科博士与大连理工学院王德君教授、中国电子科技集团公司第十三研究所翟玉卫博士等专家围绕静态/动态参数测试技术问题,SiC MOS栅氧缺陷参数分离如何实现,特殊要求的可靠性试验难点等议题展开研讨。
▲杜科博士和与会专家深入探讨
同期展览,博电科技在功率半导体测试领域的创新成果吸引业内人士广泛关注。
▲专业观众现场参观PST6747A半导体测试系统
▲博电科技技术人员与专业观众深入探讨
此次展览,博电科技重点展示了依托中国制造实现进口替代的高端科学仪器—— PST6747A半导体测试系统。该系统可实现对IGBT、MOSFET、GTO等主流功率器件及GaN、SiC等第三代功率半导体器件的静态全参数测试,该产品对标国际同类产品,是具有快脉冲宽电压,精度分辨达f##电流检测能力的功率半导体检测设备。
第三代半导体是支撑下一代移动通信、新能源汽车、高速列车、能源互联网等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和关键电子元器件,全球产业正处于起步阶段,国际巨头还未形成专利、标准和规模的完全垄断,我国在应用领域有战略优势,有机会实现核心技术突破和产业战略引领,重塑全球半导体产业格局。
在功率半导体测试领域,博电科技推出以高速高频、高压、大电流功率源为基础、并结合高速高精度的高压、大电流模拟采集技术及高速数字处理控制系统的智能测试平台。该平台根据不同需求可完成各类功率半导体器件、模块、芯片的动态参数、静态参数,热力参数及力学参数,功率寿命参数测试;是国内相关研制生产单位的研发测试、工程验收、出厂测试等领域进行自动测试的检测平台。
未来,博电科技将继续提升自身技术,投入更大力量进行研发与创新,以高质高效的产品、解决方案与服务,进一步拓展博电科技在半导体的业务领域,助推中国功率半导体产业发展。